主控内存的存储扩展方法、装置、可读存储介质及系统

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明公开了一种主控内存的存储扩展方法，包括：根据数据应用需求，确认基于所述数据应用需求对应的内存存储空间的空间量；根据数据应用内存存储空间的空间量，确认基于预设scrap flash controller的目标scrap flash数量，其中所述目标scrap flash包括一个或者多个；最后将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用内存存储空间。本发明还公开了一种主控内存的存储扩展装置、可读存储介质及系统。本发明以当前的数据存储需求封装scrap Flash以及Flash，并通过封装后的Flash存储数据和扩展内存，实现了最低成本下提高应用性能的有益效果。

基本信息

专利标题：

主控内存的存储扩展方法、装置、可读存储介质及系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109582243A

申请号：

CN201811477188.3

公开（公告）日：

2019-04-05

申请日：

2018-12-03

授权号：

CN109582243B

授权日：

2022-04-12

发明人：

杨继光吴大畏李晓强

申请人：

深圳市得一微电子有限责任公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区粤海街道科技园南十二路18号长虹科技大厦6楼09-2、10-11单元

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所

代理人：

胡海国

优先权：

CN201811477188.3

主分类号：

G06F3/06

IPC分类号：

G06F3/06