激光加工装置及其控制方法
授权
摘要

本发明提供能够简单地进行高精度的晶片的激光加工的激光加工装置及其控制方法。该激光加工装置具备:检测控制部,其检测晶片的多个分割预定线的位置;激光加工控制部,其基于由检测控制部得到的分割预定线的位置检测结果以及第一光轴与第二光轴的位置关系信息,来执行激光加工;拍摄控制部,其在使红外线拍摄光学系统的焦点对准晶片的与一面相反侧的另一面的状态下,使红外线拍摄光学系统执行对分割预定线进行的第二拍摄图像的拍摄;运算部,其基于位置关系信息和第二拍摄图像,来运算改性区域的形成位置的理论值与实测值的位置偏差;以及修正部,其基于运算部的运算结果,来修正位置关系信息,该激光加工装置将改性区域形成于在晶片的厚度方向上使焦点对准另一面的状态下的红外线拍摄光学系统的对焦范围内。

基本信息
专利标题 :
激光加工装置及其控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113169057A
申请号 :
CN201880099624.X
公开(公告)日 :
2021-07-23
申请日 :
2018-11-21
授权号 :
CN113169057B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
岛贯隆古谷田昌信押田修平
申请人 :
株式会社东京精密
申请人地址 :
日本国东京都
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
佟胜男
优先权 :
CN201880099624.X
主分类号 :
H01L21/301
IPC分类号 :
H01L21/301  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分,例如分隔
法律状态
2022-05-27 :
授权
2021-08-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/301
申请日 : 20181121
2021-07-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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