降噪结构及其传输座

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摘要

一种降噪结构及其传输座，所述降噪结构包括一天线、一噪源、一电磁导体以及一接地件；所述天线具有一段收发频宽；所述噪源辐射一电磁波；所述电磁波的频率落入收发频宽；所述电磁导体比起噪源更接近天线；所述接地件配置于噪源接近天线的一侧；所述接地件与电磁导体电性隔离开来且与噪源之间形成良好接地路径；同时，也揭露一种具备降噪结构的传输座。本发明的降噪结构及其传输座，尽量减少接地件的接地路径，以免让噪源所辐射的电磁波向外辐射，以限缩电磁波对天线的通信干扰。

基本信息

专利标题：

降噪结构及其传输座

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111490353A

申请号：

CN201910071265.3

公开（公告）日：

2020-08-04

申请日：

2019-01-25

授权号：

CN111490353B

授权日：

2022-05-20

发明人：

邱上銘

申请人：

神讯电脑（昆山）有限公司;神基科技股份有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市昆山市综合保税区第二大道269号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201910071265.3

主分类号：

H01Q1/52

IPC分类号：

H01Q1/52