NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置
授权
摘要
本发明公开了一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置，方法包括以下步骤：将NFC参数写入静态随机存储器；加载并运行固件；固件读取写在静态随机存储器的NFC参数，并配置NandFlash控制器。本方案只需在固件加载工程运行时，提前将需要的NFC参数写入静态随机存储器ISRAM中，固件运行起来后，便可从ISRAM获取NFC参数，通过静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存储NFC参数，SSD软件人员在调试NFC参数时，不会由于EFUSE一次性可编程的关系，浪费芯片，提高了芯片的容错能力，同时能够通过比较不同NFC参数对应的读写性能来确定最佳的NFC参数。
基本信息
专利标题 ：
NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109814888A
申请号 ：
CN201910073181.3
公开（公告）日 ：
2019-05-28
申请日 ：
2019-01-25
授权号 ：
CN109814888B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
杨志佳冯元元冷志源
申请人 ：
深圳忆联信息系统有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区蛇口街道蛇口后海大道东角头厂房D24/F-02
代理机构 ：
深圳市精英专利事务所
代理人 ：
冯筠
优先权 ：
CN201910073181.3
主分类号 ：
G06F8/61
IPC分类号 ：
G06F8/61
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F8/00
软件工程设计
G06F8/60
软件部署
G06F8/61
安装
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-06-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 8/61
申请日 : 20190125
申请日 : 20190125
2019-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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