分子合成设备
授权
摘要
根据本发明概念的一个方面，提供了一种分子合成设备，包括：合成阵列，该合成阵列包括合成位置和被布置在每个合成位置处的电极的阵列，以及非易失性存储器，该非易失性存储器包括位单元阵列、一组字线和一组位线，其中每个位单元包括具有被连接到字线的控制栅极、第一源极/漏极端子、和被连接到位线的第二源极/漏极端子的非易失性存储器晶体管，其中合成阵列的每个合成位置处的电极被连接到非易失性存储器的位单元中的相应一个的第一源极/漏极端子。
基本信息
专利标题 ：
分子合成设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110364206A
申请号 ：
CN201910181593.9
公开（公告）日 ：
2019-10-22
申请日 ：
2019-03-11
授权号 ：
CN110364206B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
A·阿雷吉尼A·弗尔内蒙特
申请人 ：
IMEC非营利协会
申请人地址 ：
比利时勒芬
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
杨洁
优先权 ：
CN201910181593.9
主分类号 ：
G11C13/02
IPC分类号 ：
G11C13/02 G11C16/04 G11C16/08 G11C16/10 G11C16/24
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/02
使用其操作取决于化学变化的存储元件
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-03-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 13/02
申请日 : 20190311
申请日 : 20190311
2019-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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