像素结构、有机发光二极管及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种像素结构、有机发光二极管及其制备方法，该像素结构包括衬底；像素电极，设于衬底上，像素电极具有设置于像素坑内的第一段，且第一段远离衬底的一面为凹凸的非平面，第一段包括：表示沿垂直于衬底的方向，离衬底距离最远的第一位点和离衬底距离最近的第二位点，第一位点和第二位点之间的段差A＝D‑d，其中，D表示第一位点和衬底之间的距离，d表示第二位点和衬底之间的距离；像素界定层满足以下公式：40A≥C≥10A+B其中，B表示像素电极的厚度，C表示像素界定层的厚度。上述像素结构能够有效地克服像素电极不同位置之间的段差所造成的成膜不均的问题。

基本信息

专利标题：

像素结构、有机发光二极管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111192898A

申请号：

CN201910243306.2

公开（公告）日：

2020-05-22

申请日：

2019-03-28

授权号：

CN111192898B

授权日：

2022-05-17

发明人：

史文陈亚文

申请人：

广东聚华印刷显示技术有限公司

申请人地址：

广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

郑彤

优先权：

CN201910243306.2

主分类号：

H01L27/32

IPC分类号：

H01L27/32 H01L51/52 H01L51/56