区控制的稀土氧化物ALD和CVD涂层
授权
摘要
本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原子晶相。
基本信息
专利标题 ：
区控制的稀土氧化物ALD和CVD涂层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110344024A
申请号 ：
CN201910274732.2
公开（公告）日 ：
2019-10-18
申请日 ：
2019-04-04
授权号 ：
CN110344024B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
邬笑炜J·Y·孙M·R·赖斯
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
侯颖媖
优先权 ：
CN201910274732.2
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/44 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-11-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/40
申请日 : 20190404
申请日 : 20190404
2019-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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