容器的溢流结构
授权
摘要
本发明公开了一种容器的溢流结构，包含：一容器，所述容器提供一容置空间；排放管路，位于容器的底部，将容器内底部收集的液体通过排放管路排出；溢流管路，位于容器的侧壁，溢流管路的开口距离容器底部具有一定高度，当容器底部的液体累积到一定量，液体进入溢流管；所述溢流管的开口处还具有挡板，对溢流管的开口进行遮挡，防止飞溅的液滴进入溢流管；所述溢流管的末端接入排放管路，且接入点与排放管路与容器底部的连接点具有一定的距离。阀门在正常工作时处于关闭状态，当排放管路堵塞时，液体进入溢流管并在溢流管内再次聚集，达到侦测器高度时，侦测器发出警报；当排放管路没有发生堵塞时，没有液体进入溢流管路触发侦测器发出警报。
基本信息
专利标题 ：
容器的溢流结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110517978A
申请号 ：
CN201910809105.4
公开（公告）日 ：
2019-11-29
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN110517978B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
代志亮
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦健
优先权 ：
CN201910809105.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B08B3/08 B08B13/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-12-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190829
申请日 : 20190829
2019-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN110517978A.PDF
PDF下载
