一种快速沉淀制备一维草酸钴的方法
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摘要
本发明提供一种快速沉淀制备一维草酸钴的方法，该方法在制备材料中具有高效、快速、简洁等多种优秀特征，克服了沉淀反应的快速析晶导致的调控一维纳米材料的巨大挑战性，制备出一维纳米材料CoC2O4，利用草酸氢钠（NaHC2O4）为沉淀剂快速沉淀出目标材料。NaHC2O4具有低解离系数，可以缓慢的释放出C2O42‑离子，平衡材料的生长速度和扩散速度，使得材料在生长过程中可以定向的按照一维方向生长。本发明提供一种具有优异性能的CoC2O4纳米棒的形貌和物相调控方法。该方法具有成本低、反应速率快、反应温和易控、节能环保、产物纯度高且形貌新颖等优势。
基本信息
专利标题 ：
一种快速沉淀制备一维草酸钴的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110511133A
申请号 ：
CN201910840178.X
公开（公告）日 ：
2019-11-29
申请日 ：
2019-09-06
授权号 ：
CN110511133B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
侴术雷赖伟鸿李用成李东祥李亚书宫毅涛
申请人 ：
辽宁星空钠电电池有限公司
申请人地址 ：
辽宁省鞍山市高新区越岭路267号
代理机构 ：
鞍山顺程商标专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
范伟琪
优先权 ：
CN201910840178.X
主分类号 ：
C07C51/41
IPC分类号 ：
C07C51/41 C07C55/07
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07C
无环或碳环化合物
C07C51/00
羧酸或它们的盐、卤化物或酐的制备
C07C51/41
羧酸盐的制备，用酸或它们的盐转变为带相同的羧酸部分的盐
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-01-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07C 51/41
申请日 : 20190906
申请日 : 20190906
2019-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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