本发明公开了一种富含低价态Zn⁺离子的Zn/氮化碳异质结材料的制备方法及其产品和应用，具体涉及一种利用金属改性g‑C₃N₄材料的制备方法。该方法包括氢化g‑C₃N₄材料的制备和利用真空化学气‑固相反应法将金属离子组装扩散到氢化g‑C₃N₄中，得到富含低价态Zn⁺离子的Zn/C₃N₄异质结复合材料。Zn/C₃N₄异质结结构的存在，能够加快光生电子和空穴向表面的迁移，有效抑制光生电子和空穴的复合；同时该复合材料中还存在一定量高活性的Zn⁺离子，在可见光的激发下产生电子的转移，大大提高光催化活性。经测定，该材料的制氢产率可达到36.98 mmol h⁻¹g⁻¹，显示出优异的光解水制氢性能。