一种新型多腔包覆结构硫化铋/硫化钴复合电极材料的制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种新型多腔包覆结构硫化铋/硫化钴复合电极材料及其制备方法，首先在一定温度下选用一定比例的硝酸铋和溴化钾合成铋氧溴球，然后在铋氧溴球的表面均匀包覆金属有机框架多面体ZIF‑67，再经过硫代乙酰胺的硫化得到多腔中空包覆结构，最后经过煅烧得到多腔中空包覆的硫化铋/硫化钴电极材料。本发明的方法简单易行，具有广泛的应用性，可在锂离子电池，钠离子电池，钾离子电池等领域有较大的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种新型多腔包覆结构硫化铋/硫化钴复合电极材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534722A
申请号 ：
CN201910868137.1
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2019-09-16
授权号 ：
CN110534722B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
蔡道平黄友章陈奇俤詹红兵
申请人 ：
福州大学
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
林文弘
优先权 ：
CN201910868137.1
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/58 H01M4/62 H01M10/0525 H01M10/054
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20190916
申请日 : 20190916
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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