基于区域的CMP目标控制
授权
摘要
本公开涉及基于区域的CMP目标控制。本公开涉及晶圆的化学机械抛光中的基于区域的CMP目标控制的技术。在晶圆的表面上标识多个区域。在CMP工艺序列中，在每个区域上实现CMP目标。该序列中的每个CMP工艺使用对其他区域为选择性的CMP工艺来仅为一个区域实现CMP目标。
基本信息
专利标题 ：
基于区域的CMP目标控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110948375A
申请号 ：
CN201910919205.2
公开（公告）日 ：
2020-04-03
申请日 ：
2019-09-26
授权号 ：
CN110948375B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
钟泽良涂哲豪陈科维刘志文
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN201910919205.2
主分类号 ：
B24B37/005
IPC分类号 ：
B24B37/005 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/005
研磨机床或装置的控制装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 37/005
申请日 : 20190926
申请日 : 20190926
2020-04-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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