原位制备高能晶面曝露二氧化钛薄膜的方法
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摘要

原位制备高能晶面曝露二氧化钛薄膜的方法,获取基体,并将基体进行退火预处理,将退火后的基体清洗并晾干备用;配制反应前驱液,反应前驱液由钛源、氢氟酸和氧化硼均匀混合获得;将反应前驱液和基体同时放入不锈钢高压反应釜进行水热反应获得表面生长有二氧化钛薄膜的样品,取出后的样品在去离子水中超声清洗,在常温下晾干;将所得的样品在高温下去氟处理,并浸入水中冷却,最后晾干得到有高能{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的基体;本发明的目的在于提供一种能够在基体上原位生长出形貌均匀、晶型完好,{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法。

基本信息
专利标题 :
原位制备高能晶面曝露二氧化钛薄膜的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110655106A
申请号 :
CN201910949239.6
公开(公告)日 :
2020-01-07
申请日 :
2019-10-08
授权号 :
CN110655106B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
肖帆陈燚云姜珍兰
申请人 :
浙江工业大学
申请人地址 :
浙江省杭州市下城区潮王路18号
代理机构 :
杭州斯可睿专利事务所有限公司
代理人 :
王利强
优先权 :
CN201910949239.6
主分类号 :
C01G23/053
IPC分类号 :
C01G23/053  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G23/00
钛的化合物
C01G23/04
氧化物;氢氧化物
C01G23/047
二氧化钛
C01G23/053
用湿法生产,如水解钛盐
法律状态
2022-04-05 :
授权
2020-02-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 23/053
申请日 : 20191008
2020-01-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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