用于残差电平数据的位置相关熵编码的嵌入式编解码器（EBC...
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摘要
本发明公开了用于残差电平数据的位置相关熵编码的嵌入式编解码器(EBC)电路系统。所述EBC电路系统包括：存储器，存储用于输入图像的多个图像块的经量化变换的残差电平的多个块；以及编码器电路系统，将多个块中的第一块中的多个经量化变换的残差电平分类到经量化变换的残差电平的第一集合和经量化变换的残差电平的第二集合中。编码器电路系统在第一块中以直流到交流(DC到AC)扫描次序将第一熵编码方案应用于经量化变换的残差电平的第一集合，并将第一熵编码方案和第二熵编码方案的组合应用于经量化变换的残差电平的第二集合。编码器电路系统通过应用第一熵编码方案以及第一熵编码方案和第二熵编码方案的组合来生成编码的图像块的位流。
基本信息
专利标题 ：
用于残差电平数据的位置相关熵编码的嵌入式编解码器（EBC）电路系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111541895A
申请号 ：
CN201911014420.4
公开（公告）日 ：
2020-08-14
申请日 ：
2019-10-24
授权号 ：
CN111541895B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
M·G·萨尔沃尔A·塔巴塔拜
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
刘凤香
优先权 ：
CN201911014420.4
主分类号 ：
H04N19/124
IPC分类号 ：
H04N19/124 H04N19/13 H04N19/176 H04N19/186 H04N19/625
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-09-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 19/124
申请日 : 20191024
申请日 : 20191024
2020-08-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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