一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法

授权

摘要

本发明提供一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法，所述双沟道立体TFT器件的制造方法，包括如下步骤：S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；S4：在步骤S3的基础上形成有金属氧化物形成的图案化的半导体层；S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。本发明能显著提高TFT器件的宽长比，从而提高显示器件的开口率,同时工艺较为简单。

基本信息

专利标题：

一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110783204A

申请号：

CN201911037714.9

公开（公告）日：

2020-02-11

申请日：

2019-10-29

授权号：

CN110783204B

授权日：

2022-04-12

发明人：

易志根潘明超殷大山

申请人：

南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司

申请人地址：

江苏省南京市栖霞区南京液晶谷天佑路7号

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

许静

优先权：

CN201911037714.9

主分类号：

H01L21/34

IPC分类号：

H01L21/34 H01L21/44 H01L21/84 H01L29/10 H01L29/417 H01L29/786 H01L27/12

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/34

具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件

法律状态

2022-04-12 ：

授权

2022-04-01 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 21/34
变更事项 : 申请人
变更前 : 南京中电熊猫平板显示科技有限公司
变更后 : 南京京东方显示技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 210033 江苏省南京市栖霞区天佑路7号
变更后 : 210033 江苏省南京市栖霞区天佑路7号

2020-09-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/34
登记生效日 : 20200827
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 南京中电熊猫平板显示科技有限公司
变更后权利人 : 南京中电熊猫平板显示科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 210033 江苏省南京市栖霞区南京液晶谷天佑路7号
变更后权利人 : 210033 江苏省南京市栖霞区天佑路7号
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司南京华东电子信息科技股份有限公司

2020-03-06 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/34
申请日 : 20191029

2020-02-11 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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