本发明公开了一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法，通过二氧化钛中同时添加三价元素Al和等摩尔质量的五价元素Nb，将预烧粉置于3～12T的磁场下，获得生胚，之后在N₂气氛下高温烧结，在陶瓷内部形成“巨缺陷”偶极子，形成较多的局域化电子，获得巨介电陶瓷，且在磁场下会使此类偶极子被磁场定向，限制自由电荷的移动从而提高电阻率和降低介电损耗。本发明制备的陶瓷表现出了优良的温度稳定性和频率稳定性，相对介电常数大于10³，介电损耗可达到0.05～0.1，电阻率可达到10⁷～10⁹Ω·cm，属于环境友好型电子材料，在要求小型化、轻量化的多层电子元件电容器中具有实际的应用价值。