一种增大有源区有效面积的方法
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摘要
本发明提供一种增大有源区有效面积的方法，有源区刻蚀形成之后对单个晶片进行光阻去除与清洗；其中HF溶液清洗90s，SPM清洗剂清洗60s，SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗30s。有源区氮化硅回刻之后对单个晶片进行清洗；O3清洗30s；SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗剂清洗30s；SC2清洗剂清洗15s；STI区薄氧化层形成之前对单个晶片进行清洗，O3清洗30s，HF溶液清洗6min；SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗剂清洗30s；SC2清洗15s。本发明将批量作业方式改为单个晶片的作业方式，改进清洗溶液的化学配比，减小晶片被清洗时间，在有源区被清洗干净的基础上，保留有源区的有效面积，增加MOS器件沟道宽度，改善SRAM均一性，提高SRAM性能，极大提升了各种MOS器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种增大有源区有效面积的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110729293A
申请号 ：
CN201911133418.9
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN110729293B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
雷海波田明张艳李润领
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN201911133418.9
主分类号 ：
H01L27/11
IPC分类号 ：
H01L27/11 H01L21/8244 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/11
静态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11
申请日 : 20191119
申请日 : 20191119
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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