直流电弧等离子体制备SnS纳米材料的方法

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摘要

本发明公开了一种直流电弧等离子体制备SnS纳米材料的方法，其特征在于具有如下步骤：将纯锡块通过直流电弧等离子体技术制备成纯Sn纳米粒子作为前驱体，并将其与单质硫以摩尔比1:1～1:3的比例混合均匀，得到锡硫混合物；将锡硫混合物转移至密封腔中，将密封腔抽真空后密封，将密封腔至于硫化反应炉体进行硫化反应，硫化反应温度为200℃～250℃；硫化反应结束后，随炉冷却至室温，对密封腔内的样品进行研磨并进行去硫处理，之后，随炉冷却至室温，得到SnS纳米材料。本发明使用纯锡和单质硫作为锡源和硫源，成本低廉，通过控制锡硫用量，反应时间，反应温度得到SnS纳米材料，操作简单，适合商业化生产。

基本信息

专利标题：

直流电弧等离子体制备SnS纳米材料的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111039318A

申请号：

CN201911235558.7

公开（公告）日：

2020-04-21

申请日：

2019-12-05

授权号：

CN111039318B

授权日：

2022-06-03

发明人：

黄昊吴爱民刘强

申请人：

大连理工大学

申请人地址：

辽宁省大连市高新园区凌工路2号

代理机构：

大连东方专利代理有限责任公司

代理人：

李馨

优先权：

CN201911235558.7

主分类号：

C01G19/00

IPC分类号：

C01G19/00