纳米复合膜、含其的钕铁硼磁体及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了纳米复合膜、含其的钕铁硼磁体及其制备方法。该纳米复合膜的制备方法的步骤包括：在基底材料表面上进行真空镀膜，得到纳米复合膜，即可；其中，所述纳米复合膜的原料为包含Al、Zn、Ti、Sm、Co、Ho、Cu、Zr中的至少两种元素；或者，所述纳米复合膜的原料为包含Al、Zn、Ti、Sm、Co、Ho、Cu、Zr中的至少一种元素，和O、N元素中的至少一种元素；所述纳米复合膜的厚度为1‑1000nm。本发明镀膜效率高，相对于单一成分的真空镀膜，具有耐蚀性高、降低高温磁损的优点。
基本信息
专利标题 ：
纳米复合膜、含其的钕铁硼磁体及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111020484A
申请号 ：
CN201911364593.9
公开（公告）日 ：
2020-04-17
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN111020484B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
施林舍傅东辉叶瀚棽
申请人 ：
厦门钨业股份有限公司;福建省长汀金龙稀土有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区柯井社
代理机构 ：
上海弼兴律师事务所
代理人 ：
薛琦
优先权 ：
CN201911364593.9
主分类号 ：
C23C14/16
IPC分类号 ：
C23C14/16 C23C14/08 C23C14/06 C23C14/32 C23C14/35 C23C14/58 H01F41/02 B82Y40/00 B82Y30/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/14
金属材料、硼或硅
C23C14/16
在金属基体或在硼或硅基体上
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-05-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/16
申请日 : 20191226
申请日 : 20191226
2020-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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