用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构
授权
摘要
本实用新型属于IGBT模块封装制造技术领域，涉及用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构，包括：结构本体、设置于所述结构本体上的子单元放置区，所述结构本体的侧边设置有可移动的定位装置；通过增加可移动的定位装置的设计，在子单元焊接完成后，当拿取子单元时若出现子单元与结构本体卡紧现象，可以将定位装置外移，从而增大子单元与结构本体的间隙，进而有效地避免子单元出现破损的现象，大大提高IGBT模块的封装合格率，降低IGBT模块的封装成本。
基本信息
专利标题 ：
用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920404555.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-28
授权号 ：
CN209822635U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
王晓丽于凯
申请人 ：
西安中车永电电气有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路中国中车永济电机
代理机构 ：
西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘强
优先权 ：
CN201920404555.0
主分类号 ：
H01L23/58
IPC分类号 ：
H01L23/58 H01L23/31 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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