用于在超临界流体中生长材料的装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种用于在超临界流体中生长材料的装置。所述装置包括第一容器、第二容器和加热部件，所述第二容器被容纳于所述第一容器的内腔，所述加热部件设置于所述第一容器的内腔并用于给所述第二容器加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器内生长，所述第一容器和所述第二容器均能够填充用于传递压力的介质，使所述第一容器内的压强与所述第二容器内的压强的差值小于所述第二容器内的压强与标准大气压的差值。根据本实用新型的装置的制作成本低且能使生长的材料达到较大的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
用于在超临界流体中生长材料的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920426946.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209779044U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
乔焜郑革高明哲吴小平
申请人 ：
上海玺唐半导体科技有限公司;四川航空工业川西机器有限责任公司
申请人地址 ：
上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201920426946.2
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B7/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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