一种高隔氧的半导体性能测试设备
专利权的终止
摘要

一种高隔氧的半导体性能测试设备,它涉及测试设备技术领域。一种高隔氧的半导体性能测试设备它包含箱体、电路板、半导体放置槽、温度传感器、磁学系统、温控系统、控制箱、万用表、显示屏、操控按钮、连接线、半导体器件、测试电路、电源,箱体内部设置电路板,电路板上设有半导体放置槽,半导体放置槽内部固定连接温度传感器,温控系统设置在磁学系统右侧,箱体和控制箱通过连接线连接,控制箱中设有万用表显示屏右侧设有操控按钮,半导体器件和测试电路电性连接,测试电路和电源电性连接。采用上述技术方案后,本实用新型的有益效果为:它的结构设计合理,可以进行多种性能测试,使用方便,可以满足生产厂家对测试设备的要求,适合推广使用。

基本信息
专利标题 :
一种高隔氧的半导体性能测试设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920436903.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-02
授权号 :
CN209821348U
授权日 :
2019-12-20
发明人 :
彭菊
申请人 :
南通大学
申请人地址 :
江苏省南通市啬园路9号南通大学
代理机构 :
南京鼎傲知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
郭元聪
优先权 :
CN201920436903.2
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-03-15 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20190402
授权公告日 : 20191220
终止日期 : 20210402
2019-12-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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