一种多阵列自适应电容层析成像传感器装置
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种多阵列自适应电容层析成像传感器装置,包括空绝缘容器、多阵列电极极板和保护外壳体,所述空绝缘容器包括扩展板和位于扩展板左右两侧的半圆形固定板,所述扩展板包括上板和下板,所述上板和下板外侧安装有多阵列电极极板,所述保护外壳体包括绝缘层和屏蔽层,所述扩展板外侧设有上下两层的保护扩展板,所述保护扩展板包括位于上层的上移板和下移板,所述上移板和下移板呈水平放置,所述上移板和下移板滑动连接,所述空绝缘容器的左右侧面挖设有竖直的滑动槽,所述滑槽内放置有滑轮;本装置通过通过滑轮与滑动槽配合,便于将保护外壳体移走,使得多阵列电极极板便于更换;通过扩展板与保护扩展板的配合使得装置大小形状可变。
基本信息
专利标题 :
一种多阵列自适应电容层析成像传感器装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920442458.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-02
授权号 :
CN209673704U
授权日 :
2019-11-22
发明人 :
王莉莉刘笑
申请人 :
哈尔滨理工大学
申请人地址 :
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201920442458.0
主分类号 :
G01N27/22
IPC分类号 :
G01N27/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/22
通过测试电容量
法律状态
2021-03-12 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01N 27/22
申请日 : 20190402
授权公告日 : 20191122
终止日期 : 20200402
申请日 : 20190402
授权公告日 : 20191122
终止日期 : 20200402
2019-11-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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