过流保护补偿电路以及反激电路
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型揭示了一种过流保护补偿电路以及反激电路,所述补偿电路包括:副边去磁占空比获取单元、电流补偿单元;副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间Tdem以及工作开关周期TS,并以此获取副边去磁占空比D_dem;所述电流补偿单元的输入连接所述副边去磁占空比获取单元的输出,所述电流补偿单元用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。本实用新型可使补偿后的OLP曲线较为平滑,解决芯片在不同电感应用下的调整率问题。

基本信息
专利标题 :
过流保护补偿电路以及反激电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920442725.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-03
授权号 :
CN209593298U
授权日 :
2019-11-05
发明人 :
俞秀峰蓝舟
申请人 :
深圳市必易微电子有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区西丽湖路4227号九祥岭新工业区2栋302
代理机构 :
上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人 :
王松
优先权 :
CN201920442725.4
主分类号 :
H02M3/335
IPC分类号 :
H02M3/335  H02M1/32  
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法律状态
2020-11-20 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H02M 3/335
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市必易微电子有限公司
变更后 : 深圳市必易微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518055 广东省深圳市南山区西丽湖路4227号九祥岭新工业区2栋302
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区留新四街万科云城三期C区八栋A座3303房
2019-11-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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