一种新型半导体薄层样品特性测试仪

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种新型半导体薄层样品特性测试仪，四个探针呈直线设置在待测半导体薄层样品上，四个探针分别四个接线端子连接。定标电压表与微伏表并联后与其中两个接线端子连接，定标电流表、微安表、恒流源电路串联后分别与另外两个接线端子连接。第一反射镜设置在微安表的表头，第二反射镜设置在微伏表的表头，还包括第一半导体激光器、第二半导体激光器、第一光斑一维位置测量电路和第二光斑一维位置测量电路，本实用新型采用光学放大的方式，在进行半导体薄层电阻的特性测量时，间接得到微小电流和电压的大小，且测量简单方便，不需额外配备高精度的数显微伏表和数显微安表。

基本信息

专利标题：

一种新型半导体薄层样品特性测试仪

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920459307.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-08

授权号：

CN209927934U

授权日：

2020-01-10

发明人：

张晗何致远黄林唐一文曲桐唐瑜王玥刘玉龙

申请人：

华中师范大学

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区珞喻路152号

代理机构：

武汉宇晨专利事务所

代理人：

李鹏

优先权：

CN201920459307.6

主分类号：

G01R27/08

IPC分类号：

G01R27/08