镭射二极体模组封帽设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种镭射二极体模组封帽设备，包括工作平台；管帽上料装置，设置于工作平台的顶侧；至少两管座上下料装置，设置于工作平台的顶侧，用于放置镭射二极体模组的管座和完成封帽的镭射二极体模组；至少两焊接装置，设置于工作平台的顶侧，用于将管帽焊接在管座上；输送装置，设置于工作平台的顶侧；以及控制装置。本实用新型采用了管帽上料装置、至少两个管座上下料装置与至少两个焊接装置配合，通过控制装置控制输送装置将管座上下料装置上的管座和将管帽上料装置上的管帽运送到焊接装置上进行焊接，使得在同一生产周期内可以实现至少两个镭射二极体模组封帽，从而解决了镭射二极体模组的封帽工序无法满足高速生产要求的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
镭射二极体模组封帽设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920474373.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN209641621U
授权日 ：
2019-11-15
发明人 ：
刘超
申请人 ：
深圳市东飞凌科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道宝田三路宝田工业区第三栋二层靠北
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡鹏娟
优先权 ：
CN201920474373.0
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 B23K26/21
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2019-11-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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