本实用新型公开了一种电波暗室提高暗室性能的新型结构，包括透波层、屏蔽层和吸波角锥底座；透波层的一侧面与屏蔽层连接，透波层的另一侧设置吸波角锥底座，吸波角锥底座上等间距的设有呈棱锥体形状的尖劈吸波体，吸波角锥底座与所述透波层之间设置有铁氧体层，吸波角锥底座不与透波层相接触，铁氧体层与屏蔽层之间设置有间隙，所述间隙的距离为8‑18mm，所述间隙的距离以透波层作隔层。此种结构可帮助提高吸波材料垂直入射最大反射率，特别针对30MHz至1GHz低频阶段有特别的好处，电波暗室最关键的性能指标是NSA误差，提高了吸波材料的垂直入射最大反射率，NSA的误差会减小，暗室的性能提高30％。