一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及镀膜参数优化系统
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摘要
本实用新型公开了一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及镀膜参数优化系统。本实用新型的样片腔装置，其特征在于，包括样片腔和多个铜样片，所述样片腔与目标铜腔的形状和尺寸相同；各所述铜样片分别固定在所述样片腔内设定关注的部位。本实用新型首先将样片腔装置放置于真空腔室内，采用磁控溅射镀膜方法在样片腔装置上镀铌；然后根据固定在所述样片腔装置内的铜样片镀膜确定目标铜腔内表面各位置处对应的镀膜信息，再结合所述镀膜信息优化镀膜参数。本实用新型通过该样片腔装置进行镀膜实验并对样片进行表征分析，能够优化各个位置处的镀膜参数，为后续整个目标铜腔基底的镀膜提供经验指导。
基本信息
专利标题 ：
一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及镀膜参数优化系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920639426.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-07
授权号 ：
CN210104061U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
杨馥羽李中泉张沛
申请人 ：
中国科学院高能物理研究所
申请人地址 ：
北京市石景山区玉泉路19号(乙)
代理机构 ：
北京君尚知识产权代理有限公司
代理人 ：
司立彬
优先权 ：
CN201920639426.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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