一种磁场可控式液桥生成器
授权
摘要
本实用新型实施例公开一种磁场可控式液桥生成器，支架装置包括上液桥支架和下液桥支架，液桥生成装置通过上液桥支架和下液桥支架连接支架装置，液桥生成装置包括上液桥支撑盘和下液桥支撑盘，上液桥支撑盘和下液桥支撑盘之间形成有液桥熔区；磁场发生装置包括线圈磁场发生器，磁场运动装置包括同步旋转电机，同步旋转电机连接线圈磁场发生器，同步旋转电机驱动线圈磁场发生器围绕液桥生成装置旋转；图像识别装置包括显微摄像头，显微摄像头与液桥熔区的高度相同。可用于研究旋转磁场对液桥内部周期性振荡毛细流动的抑制作用，为研究制备高质量半导体晶体提供实验研究装置，解决传统液桥生成器磁场抑制中单一磁场方向和固定磁场强度弊端。
基本信息
专利标题 ：
一种磁场可控式液桥生成器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920708397.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-16
授权号 ：
CN209836369U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
杨硕高宇马瑞雷国庆胡梓昂党玉彤张佳翔邢超博
申请人 ：
沈阳工程学院
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
代理机构 ：
北京知呱呱知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁彦峰
优先权 ：
CN201920708397.8
主分类号 ：
C30B30/04
IPC分类号 ：
C30B30/04 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B30/00
利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B30/04
用磁场的
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
