一种纳米级双层胶结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种纳米级双层胶结构，包括用于感光用的PMMA电子束光刻胶以及LOL底层胶，同时还包括用来进行涂胶工艺的晶圆衬底，最后包括用于LOL底层胶溶解的溶解液层，所述晶圆衬底的上端外表面均匀涂覆有LOL底层胶，且LOL底层胶的顶层均匀涂覆有PMMA电子束光刻胶，所述PMMA电子束光刻胶可通过电子束光刻实现在晶圆衬底上的图形化，所述电子束光刻是通过PMMA的显影液去图形化PMMA电子束光刻胶。本实用新型所述的一种纳米级双层胶结构，在不改变双层胶工艺任何工艺流程和步骤的前提下，实现了传统半导体工艺中的底层胶材料和电子束光刻材料的配套使用，从而方便实现了纳米级尺寸的金属图形，带来更好的使用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米级双层胶结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920715984.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-16
授权号 ：
CN210983032U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
潘尧
申请人 ：
苏州锐材半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街218号A7-504
代理机构 ：
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛芳芳
优先权 ：
CN201920715984.X
主分类号 ：
G03F7/32
IPC分类号 ：
G03F7/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/26
感光材料的处理及其设备
G03F7/30
用液体消除影像的
G03F7/32
所用的液体成分，例如，显影剂
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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