一种霍尔片结构
授权
摘要
本实用新型提供一种霍尔片结构，包括N型阱区、P型重掺杂层、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区及第四N型重掺杂区、隔离层、第一导电栓塞、第二导电栓塞、第三导电栓塞及第四导电栓塞、第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，所述第一N型重掺杂区与所述第三N型重掺杂区的第一连线与所述第二N型重掺杂区与所述第四N型重掺杂区的第二连线交叉。本实用新型可以集成在传统的CMOS工艺中，可与后端的处理电路集成在同一片硅片上形成霍尔传感器。本实用新型表面有P型重掺杂层做隔绝，驱动电流不会经过硅片表面，从而可以有效避免因为硅片表面缺陷而使输出电压不稳定的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种霍尔片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920748259.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-23
授权号 ：
CN209658232U
授权日 ：
2019-11-19
发明人 ：
王凡
申请人 ：
宁波宝芯源功率半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区柴桥街道万景山路213号G幢四层5-2
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN201920748259.2
主分类号 ：
H01L43/06
IPC分类号 ：
H01L43/06 H01L43/04
法律状态
2019-11-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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