低电压宽带宽高速电流采样电路

授权

摘要

本实用新型提供了一种低电压宽带宽高速电流采样电路，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第一电阻以及第二电阻。与相关技术相比，本实用新型的低电压宽带宽高速电流采样电路，其能够在电源电压低的情况下正常工作，同时能够进行高速采样。

基本信息

专利标题：

低电压宽带宽高速电流采样电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920755141.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-24

授权号：

CN210243733U

授权日：

2020-04-03

发明人：

李经珊

申请人：

深圳市思远半导体有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区西丽街道第五工业区外经工业厂房A栋502

代理机构：

广东广和律师事务所

代理人：

陈巍巍

优先权：

CN201920755141.2

主分类号：

G01R19/00

IPC分类号：

G01R19/00