存储芯片

授权

摘要

一种存储芯片，所述存储芯片包括内存单元及外壳，所述内存单元为片状，所述外壳包括一个第一散热片、一个第二散热片以及至少两个导热层，两个所述导热层设置于所述内存单元相背的两个表面，所述第一散热片及所述第二散热片分别设置于所述导热层远离所述内存单元的两侧，所述第一散热片及所述第二散热片分别通过所述导热层与所述内存单元粘结，所述第一散热片的边缘靠近所述第二散热片一侧设置有多个第一卡合部，所述第二散热片的边缘靠近所述第一散热片一侧设置有多个第二卡合部，一个所述第一卡合部与一个所述第二卡合部卡合。本实用新型的存储芯片具有较强的散热能力及较牢固的结构。

基本信息

专利标题：

存储芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920789182.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-28

授权号：

CN210006476U

授权日：

2020-01-31

发明人：

彭学文刘建立

申请人：

全亿大科技（佛山）有限公司

申请人地址：

广东省佛山市禅城区城西工业区华宝北路35号

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司

代理人：

杨毅玲

优先权：

CN201920789182.3

主分类号：

G11B33/14

IPC分类号：

G11B33/14