一种高压发光二极管芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种高压发光二极管芯片，至少包括：衬底和在所述衬底上的发光叠层；所述发光叠层包括多个通过沟道电性隔离的发光元件，发光元件包括依次层叠的N型层、发光层和P型层；金属桥接线，位于沟道的上方，电性连接相邻的发光元件；其特征在于：所述沟道内填充透光绝缘材料层，所述所述透光绝缘材料层包括折射率不同的第一透光绝缘层和第二透光绝缘层。本实用新型通过在沟道内填充由高折射率透光绝缘材料层和低折射率透光绝缘材料层，从而增强发光二极管芯片的抗老化能力，增加芯片的发光面积，提高芯片的出光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高压发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920832752.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-04
授权号 ：
CN209747553U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
蔡家豪徐凯章兴洋毕东升张家豪
申请人 ：
安徽三安光电有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920832752.2
主分类号 ：
H01L33/58
IPC分类号 ：
H01L33/58 H01L33/38 H01L33/48 H01L33/44
法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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