一种高灵敏度电容传感器电路

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摘要

本实用新型一种高灵敏度电容传感器电路，所述电路包含有由上至下的顶部金属层、次顶部金属层和屏蔽金属层、以及位于三层金属层下的电压缓冲器，开关一SW1、开关二SW2、开关三SW3位于三层金属层下，且开关一SW1的两端分别连接于高电平VDD和顶部金属层之间，开关二SW2的两端分别与顶部金属层和次顶部金属层相连接，开关三SW3的一端与次顶部金属层相连接、另一端连接至接地端VSS；次顶部金属层经电压缓冲器输出电信号；屏蔽金属层连接至电压缓冲器的输出端，从而消除金属层和屏蔽金属层之间的寄生电容Cparasitic，提高了灵敏度。

基本信息

专利标题：

一种高灵敏度电容传感器电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920836000.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-04

授权号：

CN210142327U

授权日：

2020-03-13

发明人：

陶宪博

申请人：

苏州市乙木电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市张家港经济技术开发区（市高新技术创业服务中心）E幢307室

代理机构：

北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

王凯

优先权：

CN201920836000.3

主分类号：

G06K9/00

IPC分类号：

G06K9/00