MOSFET驱动负载短路保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及MOSFET驱动负载短路保护电路。采用的技术方案是：将N‑MOSFET的源极与地之间串一个采样电阻，并且将采样电压引到NPN三极管的基极，三极管发射极接地，三极管集电极引到低电平复位的单片机的reset脚或者单片机IO口。一旦电机短路，电流增大，采样电压将触发三极管导通，单片机在几微秒复位或产生中断或产生PWM刹车等软件响应，关闭驱动脚或驱动脚变为三态，N‑MOSFET靠栅极的下拉电阻拉低，关闭电路，从而避免电路板损坏或引发火灾。
基本信息
专利标题 ：
MOSFET驱动负载短路保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920844443.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-05
授权号 ：
CN209642296U
授权日 ：
2019-11-15
发明人 ：
王湖
申请人 ：
上海派笙电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区封周路655号14幢201室J3488
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
许羽冬
优先权 ：
CN201920844443.7
主分类号 ：
H02H3/08
IPC分类号 ：
H02H3/08 H02H7/085
法律状态
2019-11-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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