一种增大比表面积的单晶硅电池片
授权
摘要
本实用新型公开了一种增大比表面积的单晶硅电池片，包括硅片，所述硅片表面开设有若干凹槽，所述硅片表面开设有凹槽处和未开设有凹槽处均设置有金字塔绒面结构。本实用新型通过在制绒之前对硅片表面进行有规则的开槽，可以得到更多的金字塔绒面结构的数目及更大的表面积，从而使P‑N结面积进一步增加，进一步提升Isc短路电流，最终实现提高电池转换效率的目的，实用性很强，非常值得推广。
基本信息
专利标题 ：
一种增大比表面积的单晶硅电池片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920859391.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-10
授权号 ：
CN209804674U
授权日 ：
2019-12-17
发明人 ：
张元秋谢毅杨蕾王岚洪布双张鹏
申请人 ：
通威太阳能（安徽）有限公司;通威太阳能（成都）有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角
代理机构 ：
昆明合众智信知识产权事务所
代理人 ：
叶春娜
优先权 ：
CN201920859391.0
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/18
法律状态
2019-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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