一种DRAM列选择驱动电路

授权

摘要

本实用新型公开了一种DRAM列选择驱动电路，包括列选择驱动模块和电源控制模块，所述的电源控制模块的输出与多个所述的列选择驱动模块的电源输入相连，其中，所述的列选择驱动模块包括相连接的列地址选择电路和输出驱动电路。通过上述方式，本实用新型提供的DRAM列选择驱动电路，电路结构简单，设计合理，能够有效地降低DRAM列选择驱动电路在待机模式下的漏电，通过控制待机模式下的输出驱动电路的第一电源电压vss_col和第二电源电压vdd_col，来消除输出驱动电路里的晶体管的源漏两端的跨压，从而达到降低其漏电电流的目的。

基本信息

专利标题：

一种DRAM列选择驱动电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920881745.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-13

授权号：

CN209747135U

授权日：

2019-12-06

发明人：

杜艳强吴君张学渊朱光伟

申请人：

苏州汇峰微电子有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园三期9楼A3–A6

代理机构：

苏州广正知识产权代理有限公司

代理人：

谢东

优先权：

CN201920881745.1

主分类号：

G11C11/4094

IPC分类号：

G11C11/4094 G11C11/4074 G11C11/4078