防线圈烧毁的漏电保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及漏电保护电路技术领域，特别是公开了一种防线圈烧毁的漏电保护电路，包括互感器、整流滤波电路模块、电源电路模块、漏电信号检测电路模块、脱扣电路模块和可控硅控制信号关断电路模块，所述脱扣电路模块包括可控硅D3，可控硅控制信号关断电路模块包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电容C10、二极管D4和MOS管VT1，其中二极管D4的阳极接到可控硅D3触发极和电阻R5的公共端，电阻R5另一端接MOS管VT1的漏极，二极管D4的阴极接到电阻R2的一端，电阻R2、电阻R4和电容C10的公共端接到MOS管的栅极，电阻R4和电容C10的另一端接地，MOS管VT1的源极接地。采用上述方案，提供了一种能有效避免可控硅长时间导通而烧毁线圈的现象出现。
基本信息
专利标题 ：
防线圈烧毁的漏电保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920918741.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-18
授权号 ：
CN209982030U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
潘秀菊丁小伟
申请人 ：
德力西电气有限公司
申请人地址 ：
浙江省温州市乐清市柳市德力西高科技工业园
代理机构 ：
温州瓯越专利代理有限公司
代理人 ：
王庭辉
优先权 ：
CN201920918741.6
主分类号 ：
H02H3/02
IPC分类号 ：
H02H3/02 H02H3/05
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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