一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L-谷氨酸检测传感器
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摘要

本实用新型公开了一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L‑谷氨酸(L‑Glu)检测传感器,所述传感器包括作为工作电极的分子印迹聚合膜修饰电极;所述分子印迹聚合膜修饰电极包括玻碳基质,所述玻碳基质表面修饰有MWCNTs膜层,所述MWCNTs膜层上负载有MIPs膜层,所述MIPs膜层上存在L‑Glu分子三维结构空腔。结果表明MIP/MWCNTs/GCE对L‑Glu有灵敏的识别特性,且当L‑Glu浓度为1.00×10‑8~1.00×10‑5mol/L时峰电流与浓度有良好线性关系(R2=0.9923),检测下限达到5.13×10‑9mol/L(S/N=3)。该电极选择性好,灵敏度高,抗干扰能力强,可应用于猪血清中L‑Glu的检测,与高效液相色谱方法对照结果一致,且回收率达到97.4%~105.5%,表明该方法可为L‑谷氨酸的检测提供一条新的途径,在生命科学领域具有重要的应用前景。

基本信息
专利标题 :
一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L-谷氨酸检测传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920924725.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-19
授权号 :
CN211122646U
授权日 :
2020-07-28
发明人 :
曹忠唐飞何军意段薇袁璇肖忠良
申请人 :
长沙理工大学
申请人地址 :
湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
代理机构 :
长沙优企知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
周栋
优先权 :
CN201920924725.8
主分类号 :
G01N27/30
IPC分类号 :
G01N27/30  G01N27/327  G01N27/333  G01N27/48  B82Y5/00  B82Y15/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/30
•••电极,例如测试电极;半电池
法律状态
2020-07-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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