多输入的开漏输出电路
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摘要
本申请提供了一种多输入的开漏输出电路，通过第一信号接口、第二信号接口和第三信号接口分别对应的接入第一MOS管、第二MOS、第三MOS管的栅极，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管的源极均接地GND，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管的漏级均与第一电阻串联以连接至电源；信号端与逻辑电路之间具有一第二电阻；第一齐纳二极管，其阴极连接第四开漏MOS管的栅极，其阳极连接第一开漏MOS管的源极；第二齐纳二极管，其阴极连接第四开漏MOS管的漏极和第五开漏MOS管的栅极，其阳极连接第四开漏MOS管的源极和第五开漏MOS管的源极，实现解决目前开漏电路在当电源电压较高时，高电平的控制信号会将开漏MOS管M1、M2的栅极击穿，从而导致MOS管功能丧失的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
多输入的开漏输出电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920937835.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-20
授权号 ：
CN210168022U
授权日 ：
2020-03-20
发明人 ：
郭虎王照新李建伟蔡彩银
申请人 ：
浙江德芯空间信息技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省湖州市德清县舞阳街道塔山街901号1幢101室（莫干山国家高新区）
代理机构 ：
北京华仁联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙艾明
优先权 ：
CN201920937835.8
主分类号 ：
H03K17/08
IPC分类号 ：
H03K17/08 H03K17/687
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法律状态
2020-03-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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