带通或带阻可重构的HMSIW滤波器

授权

摘要

本实用新型公开了一种带通或带阻可重构的半模基片集成波导(HMSIW：Half Mode Substrate Integrated Waveguide)滤波器,包括两层介质基板、设置在两层介质基板之间的中间金属层、分别设置在介质基板表面的底层金属和顶层金属；所述顶层金属包括微带结构，所述底层金属与中间金属层之间的介质基板开有多个连接孔，并在中间金属层两侧均开有耦合槽，构成半模基片集成波导谐振腔结构。本实用新型采用半模基片集成波导的结构，使得滤波器的面积缩小一半，利于滤波器的小型化，更易于系统集成。

基本信息

专利标题：

带通或带阻可重构的HMSIW滤波器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920953345.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-24

授权号：

CN211428318U

授权日：

2020-09-04

发明人：

董元旦杨涛朱谊龙

申请人：

成都频岢微电子有限公司

申请人地址：

四川省成都市郫都区德源镇（菁蓉镇）田坝东街6号4楼401室

代理机构：

成都拓荒者知识产权代理有限公司

代理人：

黄坤

优先权：

CN201920953345.7

主分类号：

H01P1/208

IPC分类号：

H01P1/208