射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路
授权
摘要
本实用新型涉及射频大功率器件技术领域，特别是一种射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路，包括与电源VCC相连接的电源管理模块，所述电源管理模块的电源管理芯片与电路保护模块的开关管Q3的集电极相连接，所述开关管Q3的基极与电源管理模块的电压变换器相连接，所述开关管Q3与电路保护模块相连接，所述电源管理模块与电源调制模块相连接，所述电源管理模块的电压变换器与输出电压调整模块相连接。采用上述结构后，本实用新型通过跟输出栅极电压的比较，确保漏极电压加载时，栅极电压稳定，使用这套电路过程中，器件不会存在电源掉电等等特殊情况，导致器件烧毁。
基本信息
专利标题 ：
射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920967548.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-25
授权号 ：
CN209787126U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
田锋强盛
申请人 ：
南京芯云电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区大周路88号科创园C3栋607室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920967548.1
主分类号 ：
H03F1/30
IPC分类号 ：
H03F1/30 H03F1/52 H03F3/21 H03F3/193
法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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