用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供了一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室。加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台内且与筒状基片载台连接，加热装置包括：第一加热组件，包括多个与筒状基片载台连接的第一加热结构；第二加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第二加热组件位于第一加热组件的一侧，第二加热组件包括多个与筒状基片载台连接的第二加热结构；和/或第三加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第三加热组件位于第一加热组件的另一侧，第三加热组件包括多个与筒状基片载台连接的第三加热结构；其中，第一加热组件和/或第二加热组件和/或第三加热组件同步运行。本实用新型解决了现有技术中加热装置存在温差，影响电池基片沉积效果的问题。
基本信息
专利标题 ：
用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920975363.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-26
授权号 ：
CN210458363U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
王志升
申请人 ：
东泰高科装备科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区科技园区中兴路10号A129-1室
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁文惠
优先权 ：
CN201920975363.5
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46 C30B25/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2021-02-12 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/46
登记生效日 : 20210129
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东泰高科装备科技有限公司
变更后权利人 : 紫石能源有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 102209 北京市昌平区科技园区中兴路10号A129-1室
变更后权利人 : 102208 北京市昌平区育知东路30号院1号楼6层3单元611
登记生效日 : 20210129
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东泰高科装备科技有限公司
变更后权利人 : 紫石能源有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 102209 北京市昌平区科技园区中兴路10号A129-1室
变更后权利人 : 102208 北京市昌平区育知东路30号院1号楼6层3单元611
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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