一种白光发光二极管外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种白光发光二极管外延结构，所述外延结构包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。本实用新型外延结构自身可发出白光，不需要添加荧光粉。此外，本实用新型外延结构制作而成的LED芯片的响应时间快、使用寿命时间长。
基本信息
专利标题 ：
一种白光发光二极管外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920979413.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-26
授权号 ：
CN209981262U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
农明涛庄家铭贺卫群祝邦瑞郭嘉杰
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201920979413.7
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/14
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法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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