防止反向电压的电路

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种防止反向电压的电路。该电路包括：第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，第一MOSFET的漏极与电池组的正极连接，第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的漏极和第一限流模块的一端连接，第一MOSFET的源极与负载连接；第二MOSFET，第二MOSFET的栅极与驱动电源连接，第二MOSFET的源极与电池组的负极连接；驱动电源，用于向第二MOSFET提供驱动电压，以驱动第二MOSFET导通；第一限流模块，第一限流模块的另一端与电池组的负极和负载连接；其中，第一MOSFET为P沟道MOSFET，第二MOSFET为N沟道MOSFET。根据本实用新型提供的实施例，能够快速阻止电池组内部或电池组所在回路产生的反向电压。

基本信息

专利标题：

防止反向电压的电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921014118.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-02

授权号：

CN210468776U

授权日：

2020-05-05

发明人：

傅焱辉吴国秀

申请人：

宁德时代新能源科技股份有限公司

申请人地址：

福建省宁德市蕉城区漳湾镇新港路2号

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

段月欣

优先权：

CN201921014118.4

主分类号：

H02H3/18

IPC分类号：

H02H3/18 B60L58/18