多光谱图像传感器和多光谱传感器
授权
摘要
本公开的各实施例涉及多光谱图像传感器和多光谱传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和之上的多个像素。像素包括形成在半导体层的第一部分的内部和之上的第一类型的第一像素和形成在半导体层的第二部分的内部和之上的第二类型的第二像素。第一像素具有第一厚度，第一厚度限定在第一波长处谐振的竖直腔，并且第二像素具有不同于第一厚度的第二厚度。第二厚度限定在不同于第一波长的第二波长处谐振的竖直腔。
基本信息
专利标题 ：
多光谱图像传感器和多光谱传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921055368.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-08
授权号 ：
CN210296379U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
A·克罗彻瑞D·里多
申请人 ：
意法半导体（克洛尔2）公司
申请人地址 ：
法国克洛尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201921055368.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01J1/44
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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