一种用于制备高质量晶体的坩埚组件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本申请涉及一种用于制备高质量晶体的坩埚组件,属于晶体制备领域。该用于制备高质量晶体的坩埚组件包括:坩埚,其包括坩埚主体和盖合在所述坩埚主体的坩埚盖;籽晶支架,所述籽晶支架固定在所述坩埚内,所述籽晶支架用于固定所述籽晶;和原料块支架,所述原料块支架设置在所述坩埚内,所述原料块支架用于支撑所述原料块。该坩埚组件用于以原料块为原料制备单晶,且坩埚组件的设置方式可以制得制得高质量的单晶;坩埚组件的结构可以根据实际需要设置原料块的位置,方便调节原料、籽晶在热场中的位置,制得高质量的单晶。
基本信息
专利标题 :
一种用于制备高质量晶体的坩埚组件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921099080.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-12
授权号 :
CN210529104U
授权日 :
2020-05-15
发明人 :
高超宁秀秀李霞刘家朋李加林李长进窦文涛梁晓亮
申请人 :
山东天岳先进材料科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01
代理机构 :
济南千慧专利事务所(普通合伙企业)
代理人 :
韩玉昆
优先权 :
CN201921099080.5
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-12-25 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 23/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 山东天岳先进材料科技有限公司
变更后 : 山东天岳先进科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 250100 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01
变更后 : 250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 山东天岳先进材料科技有限公司
变更后 : 山东天岳先进科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 250100 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01
变更后 : 250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
2020-05-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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