一种高磁导率磁芯
授权
摘要
本实用新型公开了一种高磁导率磁芯,本实用新型涉及磁芯技术领域,其技术方案要点是包括芯体、绕线柱和两个侧柱,绕线柱位于两个侧柱之间,芯体包括前芯面和后芯面,绕线柱和两个侧柱均与前芯面连接,后芯面上设有两个固定槽,所述绕线柱包括分别靠近两个侧柱的第一立面和第二立面,两个侧柱均包括靠近绕线柱的第三立面和远离绕线柱的第四立面,第一立面、第二立面、第三立面和第四立面均设有限位槽,所述限位槽包括槽底,槽底为弧形,限位槽槽口两侧均设有相对的第一限位板,第一限位板与第一限位板之间的距离小于所绕铜丝的直径大小,本实用新型目的在于提供一种线圈更贴合、磁导率更高的磁芯。
基本信息
专利标题 :
一种高磁导率磁芯
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921112972.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-16
授权号 :
CN210925703U
授权日 :
2020-07-03
发明人 :
李海荣何建锋
申请人 :
桐乡市宇通电子科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市桐乡市崇福镇湾里村肇昌桥西
代理机构 :
嘉兴嘉科嘉创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
赵俊霞
优先权 :
CN201921112972.4
主分类号 :
H01F27/24
IPC分类号 :
H01F27/24 H01F27/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F27/00
变压器或电感器的一般零部件
H01F27/24
磁芯
法律状态
2020-07-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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