一种抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片，所述芯片包括：2个霍尔放大电路、第一放大器、第二放大器；2个霍尔放大电路分别为第一霍尔放大电路和第二霍尔放大电路；2个霍尔放大电路均包括：霍尔传感器、预放大器、动态失调消除电路；实现了有效滤除磁干扰，电流传感器芯片不再受外界磁干扰信号的干扰的技术效果。
基本信息
专利标题 ：
一种抗共模磁干扰差分互补型hall电流传感器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921115214.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-16
授权号 ：
CN210294384U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
赵翔陈忠志彭卓
申请人 ：
成都芯进电子有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）天辰路88号3号楼2单元401室
代理机构 ：
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
熊曦
优先权 ：
CN201921115214.8
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00 G01R15/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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